半导体
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种功率
半导体器件，可以在高压和大电流的环境下工作。它可以流经数安培甚至上千安培的电流，但并不算是一种大的功率。IGBT由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成，是一种复合全控电压驱动式功率
半导体器件。IGBT具有MOSFET和GTR各自的优点。MOSFET具有高输入阻抗和低导通压降两个特点，在开关速度方面表现良好；而GTR则具有饱和压降低、载流密度大等特点，在驱动功率方面表现优秀。而IGBT则结合了这两种器件的优点，即驱动功率较小且饱和压降低。因此，在600V及以上的直流系统中，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路和牵引传动等领域，使用IGBT是非常适合的。它能够提供高效率和稳定性，并且适合应用于需要大容量和高效率的场合。
