华为和中芯国际的芯片技术探索能否成功？

华为

给大家分享两条技术资讯，一是华为申请了自对准四重图案化技术专利，二是中芯国际申请多曝光减少刻蚀偏差专利。这两者得搭配着看，了解芯片制造与光刻技术的人，应该能懂这两个信息包含的意义。自对准四重图案化英特尔曾尝试过，却失败了。基本没有企业想用DUV设备以这种方式缩短金属间距来制造先进芯片。烧钱又耗时，良品率难控，能耗比情况不明，能否盈利也未可知。只要能买到EUV设备的企业，都会采用它。

去年，林本坚出过一本名为光刻技术的书。书中详细阐述了多曝光与多重图案化技术（MPT）的关系，还提及该技术产生的技术瓶颈与各类风险。多重曝光与多重图案化需同步开展。在多重曝光时，光刻胶会留存之前的曝光记忆。这就需要多重图案化技术，每次曝光后重新图案化，刻蚀、剥离光刻胶后涂新胶，再接受下一次曝光。需几个图案，就将上述步骤重复几次。多重图案化技术要进一步提升分辨率，关键在于增加刻蚀偏置，不过这需要套刻精度与晶圆台精度足够高才行。华为和中芯现在正在走这条路，今年能否走通还不好判断，从各企业的技术申请看，只能说有这种可能性。多重图案化含四个技术节点，光刻与刻蚀成本随改善倍数翻倍。各分离层皆需相互对准，每多一个分离层，套刻精度就会下降些许。套刻精度误差若不能缩小，就会不断增大，直接影响整体良品率。若套刻精度误差的CD值是1.5%，按给出公式算，1.5%×√2 = 2.1%，此为2阶精度误差。若不解决此问题，这个误差将达6阶，为8.4%。在中国芯片产业里，华为和中芯已达顶尖水平，涵盖设计与制造。即便龙芯有自主指令集架构，也仅在设计方面有些实力。华为如今设计与制造兼顾，要是哪天打通了idm产业模式，那就成中国版三星了，与国家资源紧密相连。