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联发科曦力P35与高通骁龙625相比,在工艺制程上有着明显的差异。联发科曦力P35采用了台积电12纳米先进制程技术,而高通骁龙625则采用14纳米FinFET技术。此外,在架构上,联发科曦力P35采用了8核心A53架构,而高通骁龙625则采用了8个A53(最高2.3GHz)架构。
联发科曦力P35还集成了IMG GE8320@680 MHz的GPU,并支持全网通技术、双4G功能。其基带可以支持最高CAT.7速率,并且可以选择搭配CAT4基带以节省成本。

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