理想二极管的导通正向压降是多少？

硅和锗材料二极管的正向导通压降通常在0.5V至1.2V之间，而理想状态下应该是零伏。如果使用万用表的电压档测量二极管的正向导通压降为0V，有两种可能性：该二极管已击穿或者该二极管后端完全悬空（无电流）。此外，如果该二极管并联有其他几乎无压降的电路，也会导致测量结果为0V。需要注意的是，在连接了其他元器件的电路板上直接测量二极管的正向导通压降为0V是有可能的。对于场效应管来说，即使工作过程中只有20mΩ内阻，并且工作电流达到1A时，其压降也只有20mV，几乎可以忽略不计。这种情况下可以采用P沟道场效应管替代普通二极管来实现防反接保护。具体工作过程如下：当电源为10V时，普通二极管D1的压降为0.7V。上电瞬间，通过串联电阻R1将场效应管控制端G与负极连接，并使得漏极D的电压为10V，S极电压也为10V。此时，由于VGS=0V，场效应管处于截止状态。接着，从二极管D1流过的电流形成回路，并且经过场效应管S极时，其电压为9.3V。此时，由于VGS=-9.3V，场效应管Q1饱和导通。然而，在这种情况下，即使没有二极管D1也能够实现场效应管Q1的导通。扩展资料：- 导通内阻为20mΩ的场效应管工作时，如果工作电流达到1A，则其压降仅为20mV。- 上图采用P沟道场效应管代替普通二极管来实现防反接保护。- 该具体工作过程为：假设电源为10V，二极管D1的压降为0.7V。上电瞬间，串联电阻R1将场效应管控制端G与负极连接，并使得漏极D的电压为10V、S极电压也为10V。然后，从二极管D1流过的电流形成回路，并且经过场效应管S极时，其电压为9.3V。此时由于VGS=-9