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地址译码器会将输入的地址代码译成高(或低)电平信号,从而选中一组单元与读写控制电路接通。在读写控制信号配合下,数据得以被读出或写入。
动态RAM则使用动态MOS存储单元构建其存储矩阵。这些动态MOS存储单元利用MOS管栅极电容来进行信息保存,但由于栅极电容非常小且漏电流无法完全为0,因此保存电荷所需时间是有限制条件存在的。为了避免信息丢失,在规定时间内必须给予这种结构补充漏掉的电荷操作。

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参考资料来源:百度百科-系统内存
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