台积电
总结前置：内容精炼表达观察图片猜参数根据镁光提供的HBM3e尺寸数据进行估算，单die的面积约为800mm?，而通过两颗die拼接组成一片，总面积大约为1600mm?。单die尺寸与上一代相差无几（800-814mm），仍未实现尺寸上的显著突破。双die封装成一颗芯片，硅中介层尺寸超过2000mm，或是目前已知最大的CoWoS封装。首发版本应配备24GB颗粒。单片MCM显存应有192GB和288GB两种规格。A、B区域不对称，3die与4die配置不会出现。H100的晶体管数量为800亿，而B100达到2080亿（单die 1040亿）。在相同800平方毫米面积下，晶体管数从800亿增至1040亿，密度提升约30%。两者均采用
台积电4N工艺，但在制程或设计上有所优化改进。从首张图的dieshot可见，tpc数量从72增加到80，预计单die拥有160个SM，总计320个SM。若以H100的FP32为参考，按1:1比例计算，采用双die MCM设计时，将具备40960个CUDA Core。在FP8精度下，该算力单芯片为H100的2.5倍，单die则约为H100的125%，接近晶体管数量的增长比例，即达到2500TFLOPS FP8算力。据此可推测，其GPU运行频率与H100系列相近，结合TPC单元数量的增加，频率最多提升10%，预计不会超过1850MHz。2die封装后，可组成5p fp8算力（非稀疏），亦或10p fp4算力。DGX形态的8GPU B200首发配备1440GB显存，后期最高可扩展至2304GB。单节点能够支持超1000亿参数的fp16模型推理，单卡即可完成130亿参数fp16模型的推理任务。
